Транзистор IRFBG30PBF

130 

✅ В наличие в Москве. ➡️ Доставка в Красноярск от 5 дней, бесплатно.

Уточнить актуальную цену и наличие товара Вы можете у нашего менеджера.

    Заказать звонок

    Все выше указанные поля надо обязательно заполнить, чтобы мы могли точно, быстро и правильно Вам ответить

    Артикул: 121127 Категории: ,
    Описание

    Тип MOSFET
    Тип проводимости N
    Максимальное напряжение сток-исток, В 1000
    Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5
    Емкость, пФ 980
    Заряд затвора, нКл 80
    Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET
    Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
    Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
    Время задержки включения/ выключения — 25/ 29 нс
    Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
    Мощность рассеиваемая (Pd) — 125 Вт
    Вес брутто 2.82

    Производитель
    Бренд