Транзистор IRFR5410TRPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости P
Максимальное напряжение сток-исток, В -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -13
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 205
Емкость, пФ 760
Заряд затвора, нКл 58
Описание MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 66 Вт
Вес брутто 0.64