Транзистор IRF710PBF

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Описание MOSFET 400V N-CH HEXFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Мощность рассеиваемая (Pd) — 36 Вт
Вес брутто 2.81
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Упаковка TUBE, 50 шт.