Транзистор IPD122N10N3GATMA1

167 

Уточнить актуальную цену и наличие товара Вы можете у нашего менеджера.

    Заказать звонок

    Все выше указанные поля надо обязательно заполнить, чтобы мы могли точно, быстро и правильно Вам ответить

    Артикул: 121612 Категории: ,
    Описание

    Тип MOSFET
    Тип проводимости N
    Максимальное напряжение сток-исток, В 100
    Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2
    Емкость, пФ 2500
    Заряд затвора, нКл 26
    Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
    Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 3,5 В
    Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
    Время задержки включения/ выключения — 24/ 14 нс
    Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
    Мощность рассеиваемая (Pd) — 94 Вт
    Вес брутто 0.55

    Производитель
    Бренд