Диод 2А509Б

Вес 1,3 г
Напряжение мгновенное обратное: 175 В
Ток постоянный прямой: 100 мА
Частота критическая: 150…350 ГГц
Емкость корпуса: 0,3…0,45 пФ
Индуктивность диода: 0,5 нГн
Мощность импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт
Сопротивление потерь прямое: не более 1,5 Ом
Заряд накопленный: не более 25 нКл
Температура окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка 25000 ч
Срок службы 25 лет